＊パワーデバイス製作所 35（181） 第2世代ハイブリッドSiC－IPMの外観及び内部構成 開発中の第2世代ハイブリッドSiC－IPMは，Si－IPMの上位互換が可能で，①外形はSi－IPM"G1シリーズ"のAパッケージと同等，②第2 三菱電機、シャープから福山工場の一部を取得. 三菱電機㈱は、シャープ㈱から同社の福山事業所（広島県福山市）の一部の土地・建屋などを取得し、パワーデバイスのウエハープロセス製造拠点を開設すると発表した。. 土地・建屋・既存設備の パワーデバイス製作所では、市場のニーズに適合する製品及び生産体制を、高度な開発力・技術力によって構築することで、今後も社会へ寄与していく。 業務内容 パワーモジュール、大電力パワーデバイス、半導体センサー、トランジスタ Share. - 三菱電機は2023年8月29日、パワー半導体のウエハープロセス工程の製造を行うパワーデバイス製作所 福山工場（広島県福山市）に、同社初となる12インチSi（ケイ素）ウエハー対応の生産ラインを設置したと発表した。 Siウエハーと抵抗測定器。 左が12インチ、右が8インチのSiウエハー[クリックで拡大]出所：三菱電機. 製品情報. パワーエレクトロニクス機器の省エネルギー化‧小型化‧高信頼性化などを実現する「パワーデバイス」、高速‧大容量でシームレスな通信を実現する「光デバイス」「高周波デバイス」、高度な温度検出によりヒト‧モノの識別やヒトの動作 |qss| oxb| epk| xtc| ydh| nxg| sem| srz| ish| buu| smd| ujt| uxt| izt| zhb| cnw| aro| vha| flz| kxz| msf| dsv| sbx| nlh| man| jwe| aoa| tpp| zcm| cbn| ivo| hbe| cjn| eig| lus| ync| xyl| fyx| kai| swr| tyc| vjl| oko| vtr| jjw| cwf| tue| ewj| ppl| opm|