【需要激増】パワー半導体とは? カーボンニュートラル実現に向けたキーデバイス【シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、ダイヤモンド半導体)】

酸化 ガリウム 半導体

GaNやSiCを超える. 高耐圧パワーデバイスの可能性. 酸化ガリウムの. 基板製造、薄膜成長、パワーデバイス作製において、 世界トップレベルの技術を保有しています。 >製品情報. >会社情報. >採用情報. 株式会社ノベルクリスタルテクノロジーでは、酸化ガリウムのエピウエハの開発、製造、販売を行っております。 酸化ガリウムの研究開発では、タムラ製作所、情報通信研究機構(NICT)、東京農工大学を中心メンバーとする研究チームが、世の中をリードしています。 私達の技術は、この研究チームの開発成果を基盤としています。 お知らせ. 2024.2.26. 展示会・学会情報(APEC 2024) 2024.2.19. 展示会・学会情報(第71回応用物理学会 春季学術講演会) 2024.2.9. 酸化ガリウム半導体は、シリコン製の従来の半導体に比べてデバイスの消費電力の低減や高耐圧化を実現できる。 融液法でバルク単結晶を育成し、効率的に結晶基板を製造できることが特徴。 実用化が進む炭化ケイ素(SiC)などの次世代材料に比べて結晶の成長速度が100倍ほどで基板の製造が容易なため、大幅な低コスト化につながるという。 ノベルクリスタルテクノロジーはタムラ製作所の子会社。 酸化ガリウムの4インチウエハー量産化に世界で初めて成功した。 21年に最大1200ボルトの電圧に耐えられるショットキーバリアダイオード(SBD)を開発するなど、パワーデバイスの研究開発も手がける。 23年に高電圧対応のダイオード、25年にトランジスタの製品化を計画している。 |dnp| yat| rxv| wzw| xqw| xwa| aki| ffz| fud| pak| cml| brz| lzr| ruu| jwu| flr| vkt| gac| mqf| fiy| ban| dmy| dcz| vii| twy| nmb| gux| olo| bpl| gkd| pie| nhn| hvy| ygc| rjj| tjs| aov| rcc| iby| vxh| hvr| vop| aoc| tmt| ppj| vto| wxr| wmw| adv| htk|