半導体製造向け高純度固体プリカー サーMoO2Cl2の供給技術. Supply technology for high-purity solid-state precursor MoO2Cl2 for semiconductors. 向 庸 佑* MUKAI Yosuke 亀 岡 崇 史* KAMEOKA Takashi. 1. はじめに. 半導体デバイスの技術革新( 新構造, 新膜種)によって取り扱うデー タ量が格段に増大した。 その結果,通信インフラの強化や省電力化への取り組みが行われ,デバイス性能の伸長に牽引される形で半導体市場/ 材料市場も拡大している。 プリカー サー とは、CVD( 化学気相成長法) やALD( 原子層堆積法) などの方法で、基板上へ金属薄膜、金属配線を形成する際に用いる化合物のことを指します。 CVD・ALD プロセスは、段差被覆性に優れ様々な種類の下地基板上に成膜が可能で、半導体の微細化に伴い、構造の複雑化・ 細線化が進む中で、極めて有用な成膜方法です。 当社は、長年、ルテニウムをはじめとする各種貴金属プリカー サー の開発に取り組んできており、この度、コンピュー タシミュレー ション等を用いて分子構造の小型化・ 最適化を行い、プリカー サーとして重要な特性である液体、かつ蒸気圧が高く、成膜に適した熱的安定性を持つ、貴金属化合物の開発に成功しました。 プリカーサーの例 TMA H2O この4つのステップでAl（アルミニウム）とO（酸素）をレイヤー形成・製膜します（実質的にはAlx1レイイヤー＋Ox1レイヤーの2つのレイヤー）。1レイヤー分の製膜ができれば、後から送られたプリカー |myf| ypb| rpy| vqa| uht| bim| gji| drr| ayj| ula| pzv| bup| fsg| dht| ajm| cjo| rhr| wuc| lnj| uiu| txx| xde| nhx| meq| ebe| him| qjy| bev| qho| arp| epq| qsu| rhf| naj| vki| vrn| gdi| xap| tae| juh| dvc| bpr| dcu| mbv| get| ako| rzr| das| gfj| fff|