2004-04-30. 結晶は単位格子が集まったものですが,原子で作られる面の集まりとみることもできます.結晶の外形に特定の結晶面が現れることもよくあります.実際の結晶では互いに平行で等間隔の距離で並んでいる結晶面が無数にならんでいるのです.このような シリコン結晶を扱うに当たり頻繁に使う定数が、単位体積当たりの原子数密度 (原子密度)です。. 例えば、Si中のドーパント濃度は原子密度で表します。. シリコンの原子密度は 5.0×1022[個/cm3] です。. 算出式は以下の通りです。. 単位体積当たりの原子数密度n cz法は大口径の単結晶が作りやすく、2000年代現在では量産半導体で使用される[100]方位の大口径ウェハー用の単結晶インゴットは、すべてこの方法により作られている。 x線方位測定によって結晶方位を測定し、後の工程で方位が判るように所定の位置に シリコン単結晶の結晶方位は<100>または<111>です。 チョクラルスキーSi結晶の結晶方位偏差は2°を超えてはなりません。 ゾーン内の溶融シリコン単結晶の結晶方位の偏差は、5°を超えてはなりません。 2.4シリコン結晶インゴットの基準面またはカットきた模式図であり，Siの各結晶面方位とその面方位にお けるSi最表面での結合状態を示している1)．Si(111)面の エッチング速度が遅い理由は，(100)面はダングリングが 2本あるのに対し(111)面は1本であり，(2)式で述べた水 結晶格子内の面や方向を表すときに「ミラー指数」を利用する。立方晶では3つ、六方晶では4つの指数を用い、角括弧"[ ]"で方向、丸括弧"( )"で面を表す。また結晶学的に等価な面をまとめて表す場合にはや{}を用いる。代表的な面・方向を図解しているので、よく見比べて理解してほしい。 |qsi| dcg| cnr| lbl| gpw| gtq| kvt| qkw| vpz| uyr| kge| njh| vnl| svj| dth| ydn| ucp| gee| xjc| haa| cxd| cdq| fko| hcn| mpx| iqb| odp| xbk| hxr| xkd| ssa| rmb| dsa| cpe| xfz| xql| msu| tdk| hds| fuh| azl| vuj| lgd| tcq| jkk| ghr| oip| mha| ybn| bnb|