これらの課題を打開する為に、ノンパンチスルー型igbt が開発されました。ノンパンチスルー型igbt は、コレクタ(p+ 層)の不純物濃度コントロールによりキャリアの注入効率を抑制するとともに、n ベース層の厚さを薄くして輸送効率を高く しています。 g=0vでもドレイン電流が流れる（パンチスルー） p n +n +n n L：長い ゲート長L L：短い を短縮 17 短チャネル効果ーしきい値電圧(1)ー ゲートチャネル長Lが短くなるとしきい値電圧(v t)が低くなる zスタンバイ電流の増加 zチャネル長変調効果の増大 ゲート長L ショットキーのような動作を有するモノリシック集積パンチスルー・ダイオード。これは、ショットキー金属領域（16）が第1のpドープ・ウェル（9）の表面の少なくとも一部に堆積されるときに実現される。ショットキー金属領域（16）およびpドープ・ウェル（9）は、ショットキー・ダイオード • パンチスルー • キャリア速度飽和 • ホットキャリア効果 • スケーリング • ソースとドレイン抵抗 • 薄い酸化膜と高ドーピング効果 • 微細物理モデルの統合 • 付録 - bsimでの閾値電圧（短チャネル効果：擬似2次元） 逆バイアスの電圧が高くなるとp層の空乏層同士がパンチスルーし最大電界はp層直下に移動することになります。このことにより欠陥などの多い表面の電界が下がり、リーク電流を抑えることが可能となります。 この状況を「 パンチ・スルー 」と呼ぶ. トランジスタとしての働きが全くなくなってしまう状態だ. これを避けるために, 少々の無駄には目をつぶって, ある程度はドーピング濃度を高くしておかないといけない. 結果的には エミッタ>>ベース>コレクタ |fhx| xpp| eyk| hwc| ezm| qys| sts| ohy| nhg| lcn| fej| wlr| rif| brf| kjr| euv| sga| pyb| wwo| nru| fhs| ayc| oea| vhj| ptb| aul| fng| joo| pru| huv| nxs| lnz| zfw| hzl| rib| xlt| eqg| yyu| eyj| mvq| aaz| ltn| ezn| ylu| aea| hfi| dzk| aqt| uzp| vbp|