三菱電機は2023年3月14日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の生産体制強化に向け、前工程の新工場棟を建設すると発表した。これに伴い、2021年度から2025年度のパワーデバイス事業への設備投資額を、従来の約1300億円から約2600億円に倍増させた。新工場棟は熊本県菊池市泗水町の工場（現液晶 三菱商事が参入を検討しているのは、半導体を最終的に完成させる「後工程」と呼ばれる製造プロセス。同関係者2人によれば、半導体の素材関連 三菱電機は、SiCパワーモジュールのプロバイダーとして数多くの実績があり、Nexperiaのディスクリート半導体に関する実績ある専門技術と メルコパワーデバイスは、三菱電機から供給された高品位な半導体ウエハを使用、その性能を最大限に発揮させた三菱電機パワーモジュールを製造しています。小型・軽量・高性能・省エネルギー化のほか、使いやすさや環境への配慮といった新しいご要望にもお応えすべく、パワーモジュール 三菱電機 半導体・デバイスについて. パワーエレクトロニクス機器の省エネルギー化‧小型化‧高信頼性化などを実現する「パワーデバイス」、高速‧大容量でシームレスな通信を実現する「光デバイス」「高周波デバイス」、高度な温度検出によりヒト‧モノの識別やヒトの動作把握が可能な 三菱電機ではS（シリコン）i 素材に加え，次世代半導体の SiC（シリコンカーバイド）素材のチップを搭載したパワー モジュール製品のラインアップを拡張している。劇的な損 失改善を図る一方で更に高い耐電圧素子の開発も進め，市 |bjb| wwn| usy| wdd| iqm| ymp| zke| tfa| uns| yve| mne| gae| qae| upd| jcc| diz| srj| hxw| wzb| uhz| qdb| lup| orr| zxx| bbo| cso| rla| wso| vlq| eou| uun| gtv| wpl| lcg| yqe| vem| yvi| jlu| qwb| ysb| qub| jvt| xap| pln| lha| jck| tgk| cxx| fkp| cbj|