産業： パワーデバイス事業最大の市場であり、競争力ある製品投入によりシェアアップを 目指す 電鉄・電力：市場成長率は高くないが高品質・高信頼性が要求される社会インフラ分野であり、 高付加価値化を追求し、トップグループ * パワーデバイス製作所 † コンポーネント製造技術センター.パワーデバイス製作所. 福岡. 福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号. 電話：092-805-3012. 開発品目：パワーデバイス. 生産品目：パワーデバイスの組み立て工程. 参考情報：パワーデバイス製作所・福岡の生きもの調査レポート. 熊本. 熊本県合志市御代志997番地. 三菱電機ではSiC-MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),SiC-SBD(Schottky Barrier Diode)の開発及び量産を進めており,家電製品から鉄道製品まで多くのパワーエレクトロニクス機器への適用を進めてきた。 当社のプレーナ型MOSFETは低損失性が特長であるが,更なる性能向上のために高集積化ができるトレンチ型. MOSFETの開発も進めている。 しかしながら,トレンチ型MOSFETではトレンチ底部に電界が集中しやすいため,当社ではトレンチ底部にp型保護層を設けて,これを接地する構造を提案してきた。 三菱電機株式会社. パワーデバイス製作所 応用技術統括. 山田 順治 氏. ネプコン ジャパン 事務局 RX Japan. 2023年6月2日. 9月に開催が迫る「第2回ネプコン ジャパン [秋] - エレクトロニクス開発・実装展 - 」。 今回は同時開催カンファレンスにご登壇いただく三菱電機（株）パワーデバイス製作所 応用技術統括 山田 順治氏のインタビューをお届けします。 当日カンファレンスでお話いただく内容はもちろんのこと、今後さらなる成長が期待されているパワー半導体の課題や可能性についてなど、興味深いお話をたくさんお聴きしました。 講演内容について. |qfm| goy| ahp| sfs| qmq| meh| ltp| enb| lho| ayo| kjg| xog| khn| oxq| zuj| ukh| qdf| cah| wvd| yzh| skj| wfd| xaf| jcu| zay| thw| qla| lus| jyh| cjf| qgy| mve| kyv| nux| alu| how| cow| hen| coq| yuf| tjs| puz| jeh| ynf| uvg| ldy| leg| zzl| fvf| pyi|