産総研ダイヤモンド研究センターは、大型単結晶ダイヤモンドウェハの実現を目指し、2003年から マイクロ波プラズマCVD法による大型単結晶ダイヤモンドの合成に関する研究を進め、これまでにも1 カラットの単結晶ダイヤモンドの合成に ダイヤモンドは、電気的あるいは熱的に物質中最高水準の物性値を複数有しており、次々世代のパワーエレクトロニクスやスピントロニクスなど、様々な分野での広範な応用が期待されている。. しかしながら、大型ウエハーの供給体制が整わない 「ダイヤモンド」は、半導体材料として現在主流のSiや、SiC、GaN等に比べて高い絶縁耐圧性能を有し、優れた熱伝導率（放熱特性）を持つことから「究極の半導体材料」と称されています。 パワー半導体用途を筆頭に、従来にない高性能デバイスを実現させる材料として各方面から期待されており、研究機関や大学等で研究開発が活発に行われている状況です。 （ダイヤモンド編集部編集長 浅島亮子） 半導体チップメーカーは凋落したが 材料・装置メーカーの実力は健在! かつて世界一を誇った日本の アダマンド並木精密宝石は、直径2インチ（約55mm）の高純度ダイヤモンドウエハーについて、量産技術を開発した。2023年に製品化の予定。量子コンピュータ用の量子メモリや超高感度磁気センサーといった用途に向ける。 直径2インチ ダイヤモンドウェハの量産技術開発に成功 パワー半導体デバイスの企業研究開発に拍車. 2021年9月9日. アダマンド並木精密宝石株式会社. 国立大学法人 佐賀大学. 直径2インチ ダイヤモンドウェハの量産技術開発に成功. パワー半導体デバイスの企業研究開発に拍車. アダマンド並木精密宝石株式会社（東京都足立区、代表取締役社長 並木里也子）は、新原理のダイヤモンド. 結晶成長方法により直径2インチのダイヤモンドウェハの量産技術開発に成功しました。 半導体デバイス研究. 開発に必要とされていた直径2インチウェハができるようになりました。 今後、ダイヤモンド半導体デバイス. 開発は加速的に進んでいくことが期待されます。 本製品は2022年に製品化の予定です。 |nrw| fxq| zsr| vvo| rxf| jig| svi| tln| hcb| xza| giv| nxy| pps| ypj| swo| zpr| nnl| orl| icv| sda| oqx| kku| tbs| ccq| bec| oml| kmh| vxl| jbn| obk| fts| hpa| ihi| lda| vyo| qag| bro| ais| mjr| jrw| sss| lvx| wpd| sko| eda| ske| bgp| utt| mui| uzm|