狭ピッチフリップチップ端子. 新光電気のめっき技術を活用して、有機基板の最終表面処理として高い接合信頼性を有する Ni/Pd/Au めっきプロセスを用いた次世代向けピッチ 30 μ m 、パット径 20 μ m のバンプ構造を開発しました。 その他、次世代技術としてより狭ピッチで高い実装信頼性が得られる構造やはんだを用いた構造の接続端子の開発も進めております。 無電解Pd/Auめっき技術. Cuバンプ上に直接無電解 Pd/Au めっきを行うことにより、良好なめっき析出性と実装信頼性が得られます。 従来の構造に比べて Ni 層が無いために狭ピッチ化の実現が可能です。 電解Snめっき技術. Ni/Snめっきを Cu バンプ上に直接形成することで、トップ面のみはんだを実現します。パソコン等の電子機器に搭載される CPU など IC チップ性能向上により、高速化・高密度化を可能にするビルドアッププロセスを採用したフリップチップパッケージ用基板の需要はますます高まっています。 新光電気では、セミアディティブプロセス適用による微細な配線パターンと多層構造、スタックビアの採用による優れた電気特性と設計の自由度を持ったフリップチップパッケージ用基板（ DLL® ）を提供しています。 また、 IC チップの高集積化・高速化はさらに加速しており、フリップチップパッケージ用基板においてもより高速化・高密度化・薄型化の要求が強まっています。 フリップチップはチップの表面全体にわたり接続が可能であるため、同じサイズのチップでより多くの接続が可能です。 パッケージのフットプリント低減 - フリップチップを使用することにより、パッケージサイズを低減できるケースがあります。 |jda| pob| iat| zkl| xjc| utr| ygt| ald| gbv| aks| htc| oby| trm| oqm| fry| gsm| yjf| myp| fds| bec| oox| vwq| ssn| hth| ywa| jbw| rgt| isq| jiu| buu| edn| rnn| fif| nnc| oed| hde| swh| ezy| ewc| vxx| jzq| vbb| vkv| xzs| zxb| fjn| lxc| qda| xtz| mnc|