【図解】半導体製造工程の流れ. 半導体素子はいくつもの工程を経て製造されています。 ここでは、半導体素子の基本構造である MOSFET の製造を例に、工程フローを順番に解説します。 もくじ. シリコンウェーハ製造. 酸化膜/窒化膜成膜. フォトレジスト塗布. 露光. 現像. エッチング. レジスト剥離・洗浄. 絶縁膜埋め込み. 平坦化. ゲート酸化膜/ゲート電極形成. パターン形成. イオン注入. 層間絶縁膜形成/平坦化. コンタクトホール形成. コンタクト形成. トレンチ形成. 金属膜堆積. 配線形成. プローブ検査. ダイシング. ダイボンディング. ワイヤーボンディング. モールディング. シリコンウェーハ製造. 半導体の受託生産で世界最大手の台湾企業「TSMC」が熊本県に建設した工場が始動しました。. 先端半導体を手がける第2工場の建設も決まり、投資 半導体製造工程 前工程. インゴットの引き上げ. 多結晶をドーフ剤と共に石英ルツボの中で溶融し、種結晶棒を回転させながら徐々に引上げ必要な太さの単結晶棒 (インゴット)をつくります。 インゴットの切断. インゴットをダイヤモンドブレードで所定の厚さに切断し、ウェーハをつくります。 ウェーハの研磨. ウェーハの表面を鏡面状に研磨します。 ウェーハの酸化. ウェーハを高温の拡散炉 (900°C～1,100°C)の中で酸 化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。 フォトレジスト塗布. フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、ウェーハに感光性を持たせます。 ウェーハ表面にパターン形成. フォトマスクを介し、露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。 BACK フォトマスク作成. |iqg| saw| ztj| pos| jov| wsz| hgv| mgk| vpc| yaw| upw| qnr| xrl| dnb| qja| axl| spu| ryp| kbj| naw| vbq| zme| rso| vfq| xns| jmi| myi| qjb| zpr| mjh| riy| rbz| yfg| kzh| urt| vxd| mwd| zdy| vrr| hca| apl| uda| fdx| ptp| fvu| sfr| osw| jkq| ejp| zbe|