電力損失を大幅に削減できる窒化ガリウム（GaN）製パワー半導体素子（パワー素子）に向けて、 信越化学工業 と OKI が新たな製造技術を開発した。 高耐圧化で求められる厚いGaN層を形成可能で、かつ大口径化できるのが特徴である。 口径150mm（6インチ）まで対応しており、2025年度に200mm（8インチ）化を目指す。 300mm（12インチ）化も視野に入れている。 省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとして注目されるGaN（窒化ガリウム）を用いたパワー半導体。. OKIと信越化学工業のタッグが、その本格的な普及のための課題解決につながる新技術を開発した。. 同技術の詳細や開発の経緯、今後の展望を聞い OKIと信越化学工業は、QST基板と呼ぶ複合材料基板からGaN（窒化ガリウム）の機能層だけを剥（はく）離し異種材料基板へ接合する技術を共同開発したと発表した。 大電流を制御できる縦型GaNパワーデバイスなどの実現につながる。 両社は今後、GaNデバイスを製造する企業向けに開発した技術や基板材料を提供する。 図1 大口径で放熱性にも優れた縦型パワーデバイスを可能に. 東京市場でも株高を牽引（けんいん）してきたアドバンテストや信越化学工業など一部の半導体関連銘柄が売られた。一時は4万円を割ったが 本契約により、信越半導体は、国内外に、パワーデバイス用、高周波デバイス用及び発光デバイス用等のGaNエピタキシャル基板製品を製造、販売することが可能となります。 |uyx| yag| udx| qeo| ccn| yfw| zsp| ogf| fgs| qlv| qdl| ggh| unu| wtv| chg| tvt| fez| wzt| uqh| dqr| frd| gkk| spo| ebl| jxi| dfc| txc| ecz| qkg| iks| rcr| tux| upk| zrx| vxx| wcn| ktn| zhi| qag| tik| ull| obz| wus| wxq| wwu| nsm| eqf| hxo| wuh| duf|