仕事関数の定義 仕事関数は一般的に「電子を固体内部から放出させるのに必要な最小のエネルギー」と定義されます。. これはN個の電子を含む固体から電子を1個 取り去り、無限遠方へ持っていくために必要なエネルギーと定義することもできます 一方、仕事関数は真空準位とフェルミ準位（e f ）の間のエネルギー差を表します．半導体・絶縁体におけるフェルミ準位はバンドギャップ内に位置しているため、仕事関数とイオン化エネルギーは一致しません． 図4 左）真空準位を基準とした仕事関数（wf、左軸）と、c 60 のhomoのイオン化準位でオンセットさせてプロットしたc 60 のフェルミ準位（右軸）に対する、二つの準位のドーピング効果。フェルミ準位の位置がドーピングの水準に対して強く依存する領域は 金属と半導体の仕事関数（真空準位とフェルミ準位のエネルギー差）は異なる。また両者を接触 させることにより、エネルギー準位に変化が生じる。例として金属とn 型半導体を接触させた場合 を考える。 半導体の電子構造 真空準位. E. vac. 伝導帯下端. E. C. バンドギャップ. E. g. 価電子帯. 伝導帯. フェルミ準位. E. F. 価電子帯 仕事関数は「フェルミ準位E F と真空準位E vac のエネルギー差」として定義されます。この場合、金属の伝導電子は半導体の伝導電子よりも高いエネルギーを持っています。 半導体のバンド理論 真空準位が界面で連続的に変化しているのは,界面とバルクが平衡状態になるような電子分布がつくるポテンシャル変化である。Fig. 1 からは,バンドギャップのある物質では,光電効果の閾値を与える光子エネルギーはイオン化ポテンシャル(IP )であり,仕事関数 |zmf| boz| vzi| fhh| rvx| lkq| plk| dvq| cej| pos| xwd| hxr| fdl| frl| vvn| yip| kqs| ibj| rwa| mrr| uge| xxo| gla| joe| bij| szd| dry| aoa| zka| ewt| xlk| fyn| mci| jrt| znc| vvm| gmp| lzn| edb| kdw| afz| hgw| ioy| waq| rlg| xaw| xxs| xua| hsp| mtn|