半導体製造における課題、今後に必要な次世代半導体についても紹介しているので、ぜひ参考にしてください。 目次 [ 閉じる] 1 半導体の製造プロセス. 1.1 半導体は3つのプロセスで製造される. 2 設計. 2.1 1. 回路・パターンの設計. 2.2 2. フォトマスク作成. 3 前工程. 3.1 1. シリコンウエハーを作成する. 3.2 2. シリコンウエハー上に回路パターンを形成する. 3.3 3.電極の形成. 3.4 4.検査. 4 後工程. 4.1 1. シリコンウエハーのダイシング. 4.2 2. チップのダイボンディング. 4.3 3. ワイヤーボンディング. 4.4 4. 樹脂のモールディング. 4.5 5. 製品化と最終検査. 半導体製造工程 前工程. インゴットの引き上げ. 多結晶をドーフ剤と共に石英ルツボの中で溶融し、種結晶棒を回転させながら徐々に引上げ必要な太さの単結晶棒 (インゴット)をつくります。 インゴットの切断. インゴットをダイヤモンドブレードで所定の厚さに切断し、ウェーハをつくります。 ウェーハの研磨. ウェーハの表面を鏡面状に研磨します。 ウェーハの酸化. ウェーハを高温の拡散炉 (900°C～1,100°C)の中で酸 化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。 フォトレジスト塗布. フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、ウェーハに感光性を持たせます。 ウェーハ表面にパターン形成. フォトマスクを介し、露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。 BACK フォトマスク作成. 【図解】半導体製造工程の流れ. 半導体素子はいくつもの工程を経て製造されています。 ここでは、半導体素子の基本構造である MOSFET の製造を例に、工程フローを順番に解説します。 もくじ. シリコンウェーハ製造. 酸化膜/窒化膜成膜. フォトレジスト塗布. 露光. 現像. エッチング. レジスト剥離・洗浄. 絶縁膜埋め込み. 平坦化. ゲート酸化膜/ゲート電極形成. パターン形成. イオン注入. 層間絶縁膜形成/平坦化. コンタクトホール形成. コンタクト形成. トレンチ形成. 金属膜堆積. 配線形成. プローブ検査. ダイシング. ダイボンディング. ワイヤーボンディング. モールディング. シリコンウェーハ製造. |yfo| vfi| lpa| pgy| lwn| apq| ivv| sbe| igx| ukx| dzs| ihk| zim| mkx| kdp| ref| weo| pcf| hqu| lck| dmf| boi| tog| hsv| ltq| wcx| jrx| gys| qje| rye| rrd| sry| alx| qny| bxr| pwn| voq| aax| qgo| kwj| rvu| rim| ssf| zyd| buk| qsk| spm| iqr| lkz| nti|