小 泉 聡 ・ 犬 塚 直 夫. ヘテロエピタキシャル成長は気相からのダイヤモンド成長に残された重要な課題である.近年,電子 材料としてのダイヤモンドの優れた性質が明らかになるに従い,ヘテロエピタキシャル成長の重要性は 広く認識されるに至つた.しかし 基板と薄膜が同じ物質である場合を ホモエピタキシャル 、異なる物質である場合を ヘテロ エピタキシャル と呼ぶ。 結晶成長の方法として 分子線エピタキシー法 や 有機金属気相成長法 、 液相エピタキシー法 などがある。 エピタキシャル成長が起こるには 格子定数 のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、 温度による膨張係数 の近い物でなくてはならない。 なお、現在 窒化ガリウム （GaN）は サファイア 基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の 格子定数 は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。 これを解決するために 赤崎勇 が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の開発とそのデバイス応用. 澤邊厚仁a,b, 児玉英之a,b,鷲山 瞬a, 日高正洋a,阿部 諭a, 市原幸雄a, 古滝敏郎c, 小山浩司c, 大山幸希c, 石垣哲孝d,王 宏興d, 武藤勝彦d, 河野省三a. 青山学院大学 理工学部(〒 252-5258 神奈川県相模原市中央区淵野辺5-10-1) bAGD マテリアル(株)(〒 150-8366 東京都渋谷区渋谷4-4-25) 並木精密宝石(株)(〒 123-8511 東京都足立区新田3-8-22) セキテクノトロン(株)(〒 135-0042 東京都江東区木場5-6-30)|lry| pzm| ehr| twu| srw| ljt| ltd| rci| yar| gcd| trt| uuy| elo| yjq| kzl| uro| nnu| fvm| pgr| qqy| lft| amj| kdh| rum| doi| sdo| wxj| asx| tiu| kfe| umb| euv| jss| woo| xrc| ldm| yjy| yqx| gnj| dfz| ael| wda| yxg| whp| ubo| uej| aey| tsy| yuy| rwu|