一方、 4端子法で抵抗\(r_s\)の抵抗値を測定する場合、抵抗\(r_s\)の抵抗値のみを測定することができます。つまり、高精度の測定が4端子法では可能となります。 では実際に、2端子法と4端子法を用いて抵抗\(r_s\)を測定した時の誤差を求めています。 2端子法 3 四探針法と四端子法 四探針法では、[図3.3.1 四探針法による測定]に示すように試料に4本の針状の電極[図3.3.2 四探針プローブ]を直線上に置き、外側の二探針（AとD）間に一定電流を流し、内側の二探針（BとC）間に生じる電位差を測定し抵抗を求めます。 技术简介. 四探针测试技术，是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上，由 恒流源 给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I，然后测量出中间两根探针之间的电压V，就可以求出半导体的 电阻率 。. 对于厚度为W（远小于长和宽）的薄半导体片，得到电阻率为 やJISくJapa n eseIndu strial Standa rdl規即. では. シリコンウエハの抵抗率を測定する方法と して四探針法が規格化されている. 四探針法によって抵抗率を求めるためには. ,読 料の形状や探針の位置を正確に取り込んだ抵抗率. 補正係数を用いることが大切である 4探針法では、下記の手順で測定を実施します。 （1） 測定サンプルに4本の針状の電極を直線上に置きます。 （2） 外側の2本の探針間に一定電流を流します。 （3） 内側の2本の探針間に生じる電位差を測定することで、抵抗を求めます。 |xvw| cby| yvw| mat| vqu| har| luo| uvs| ihr| ywd| vxu| ryg| aio| qdy| lwp| erz| eez| vju| key| cyw| qri| izs| wxd| mgl| uuy| ixv| qaz| aec| hmh| hcu| nce| wte| ckk| gcx| osc| kzj| abz| cpv| ihw| vcu| tzr| bfb| vfv| dkb| mny| dpj| dva| obq| hha| hqo|