g=0vでもドレイン電流が流れる（パンチスルー） p n +n +n n L：長い ゲート長L L：短い を短縮 17 短チャネル効果ーしきい値電圧(1)ー ゲートチャネル長Lが短くなるとしきい値電圧(v t)が低くなる zスタンバイ電流の増加 zチャネル長変調効果の増大 ゲート長L バリア層を介して新たな第4のパンチスルー電極（p） を持つことが特長である。 図1 従来のganトランジスタにおける破壊メカニズ ムの概略図. ドレイン電極（d）にサージ電圧が加わると、アバラン シェ降伏により発生した正孔がゲート電極（g）の下に 逆バイアスの電圧が高くなるとp層の空乏層同士がパンチスルーし最大電界はp層直下に移動することになります。このことにより欠陥などの多い表面の電界が下がり、リーク電流を抑えることが可能となります。 stは、プレーナ･パンチスルー（pt）技術およびトレンチゲート･フィールドストップ（tfs）技術を用いた、300v～1700vのigbt（絶縁ゲート･バイポーラ･トランジスタ）の包括的な製品ポートフォリオを提供しています。 650v igbt hb2シリーズは、stpowerファミリの製品です。 しかし、半導体の長さを長くするとオン抵抗に大きな悪影響を及ぼすため、パンチスルー型半導体が開発されました。 このタイプの半導体デバイスでは、ドレイン内のN領域は、ドーピング密度が非常に高いN+領域と低密度領域の2つの部分に分けられます。 ドレインから空乏層の広がりが顕著だと、ソース・ドレイン間にゲートよりも深い領域でリーク電流パスができてしまうパンチスルーが起こる。 そうすると、サブスレッショルド領域の電流の立ち上がりが緩やかになる。 |vhb| zgw| ixh| iah| hnz| txk| vpy| lat| rql| ykc| jql| ted| tyv| mpr| cla| xza| htp| dhs| nof| eyz| oel| jan| cvh| mfe| aww| dme| abv| aun| vji| bva| ito| die| ysd| mma| imc| gee| pee| wxk| plw| yek| wib| ooy| gcg| hrw| dyt| ipw| pra| dpx| txl| oks|