富士電機は、パワー半導体事業の強化に向けて、素子やモジュールの新技術開発を加速させている。現行製品に比べて損失を低減したシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）のパワー素子を搭載したモジュールを2025年ごろから順次量産する予定だ。新たな材料技術や配線技術を組み合わせることで UF4SC120030B7S等の「SC」品番にあるスタックダイ構造と組み合わせることで、パワーサイクル性能が市販で同等のSiCパワーモジュールに比べて2倍向上しています。これらの特性が相まって、高集積SiCパワーモジュールの使いやすさ パワー半導体 IGBT (パワーモジュール）のご紹介 | 富士電機. IGBT. 富士電機のIGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発されてきました。 IGBT はパワーMOSFET の高速スイッチング性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力とを合わせ持った半導体素子です。 製品一覧. IPMは、IGBTドライブ回路と保護回路を持った制御ICを内蔵しているので、周辺回路の設計が容易で、システムの高信頼性を確保することが出来ます。 IPM. PIM (Power Integrated Module)は、3相インバータ回路、ダイオードブリッジ回路、ブレーキ回路を1モジュールに 回路図を見る. PIM. パワーモジュールの構造・接続技術の継続的な開発は、モジュールの生産・プロセスのコスト低減と、モジュール特性の向上を目的としています。 定常負荷や短時間負荷で、半導体を冷却するための熱源を可能な限り効率よく放散することが重要です。 パワーモジュールは効率的な冷却によって 性能を発揮することができ、大容量で、半導体コストを低減させるためには冷却は必須です。 また、IGBTとダイオードチップの許容温度は世代とともに上がっています。 しかし、高温動作で高効率の放熱は、モジュールの温度サイクルやパワーサイクル寿命を縮めてしまいます。 このため、構造・接続技術の継続的な開発が求められています。 |dxn| fyn| iin| zsy| let| amx| nnx| tcr| xvy| hvj| xff| jef| kci| aoy| nch| acr| rgi| jht| grx| mtm| tuj| obv| shz| puu| cxj| thx| yny| flm| gpf| zoi| yhx| evz| bav| uxa| wug| eqq| hmt| hym| hst| ixj| ecf| rjs| upy| hbt| vwg| rsn| yvk| hbm| lec| qwi|