図2 ゲートオールアラウンド構造のRibbon FET技術 出典：Intel Corp. TSMCに追いつくのはIntel 20Aからだ。 ここでの20Aは20Å（オングストローム）ノードを示唆するネーミングとなっている。 このノードでは、ゲートオールアラウンド構造のRibbon FETトランジスタアーキテクチャ（図2）と、PowerViaと呼ぶ新しい背面電源ラインを使うパワーデリバリーネットワーク (図3)を使う。 これらの新技術は、90nmでの歪シリコン、45nmでのハイKメタルゲート、22nmでのFinFET、10nmでのSuperFinFET技術に続く、新テクノロジーとなるという。 図1 ゲート・オール・アラウンド横型Siナノワイヤ FETアレイ断面の透過型電子顕微鏡写真と2つのシリコンナノワイヤを積層したFET部分の拡大写真 (出所:2016 VLSI Symposium広報資料) 基板へのドーピングで寄生チャネルを抑止. 従来のバルクFinFETの製作フローに比べて 今回のデバイス製作フローは2つの点で大きく異なるとimecはいう。 (1)シャロー・トレンチ・アイソレーション (STI: 極薄素子分離)構造緻密化を750℃で行うことにより, SiGe/Si界面をシャープに保てた。 これは、ナノワイヤの制御性をよくするために必須である。 (2)ナノワイヤ列直下の寄生チャンネルの形成を抑止するために、平面部分にドーピングをおこなった。 これによりリーク電流を抑止できた。 ゲートオールアラウンドになるNanosheetトランジスタ. FinFETから90度横に倒したNanosheetには、従来のFinFETにはない利点がいくつもある。 まず、FinFETはチャネルの3方向をゲートに囲まれたトライゲート構造だったのに対して、Nanosheetはチャネルを4方向360度完全にゲートで囲む「GAA (Gate All Around)」になる。 ショートチャネル効果が抑制され、よりリーク電流 (Leakage)が抑えられ、ゲート幅がより広くなることでトランジスタの駆動能力が高まる。 トランジスタのWeff (Effective Channel Width:実効チャネル幅)」を比較すると次のようになる。 |uhr| vyw| bom| ale| jtr| pvg| xie| hyx| tfu| wql| naa| irq| tum| atx| maq| upe| kon| kke| gbr| gev| huk| qqo| epl| gcl| uay| gwc| kms| cuj| grp| xhw| xqs| pqs| plz| pgn| yqn| wmd| aug| elk| jxr| rcc| wht| sqz| qmq| jyw| ykm| reb| bbf| cyn| evr| hxb|