ウェットエッチングとドライエッチングの違い. 2 それぞれのエッチング手法が持つ強みとは. ドライエッチングが微細加工に適している理由. 目次を開く. ドライエッチングが微細加工に適している理由. 高精度な加工が必要とされる半導体の製造過程では、異方性エッチングに向いた手法であるドライエッチングが用いられている。 ドライエッチングと言えば、リアクティブ・イオン・エッチング (RIE)を指すことが多く、広義ではプラズマエッチングやスパッタエッチングを含めることもあるが、本記事ではRIEを中心に解説する。 では、なぜドライエッチングなら異方性エッチングが容易なのか説明するために、RIEの過程を細かく見ていこう。 「 ウェットエッチング 」は、主に 洗浄装置の一部機能を使って化学的にエッチング を行うものです。 つまり、金属やシリコンを溶かす薬液をつかって除去する方法です。 バッチ式の洗浄装置を使用する場合にはスループットが高いというメリットがありますが、ドライエッチングが主流となった現在では、補助的に用いられています。 （2）ドライエッチング. 「 ドライエッチング 」は、反応ガスを含むガスの プラズマを使い、ガスから反応性の高いラジカル原子・分子をウエハーに接触・反応させてウエハー表面を微細加工 （エッチング）する技術です。 そのため、「 プラズマエッチング 」とも呼ばれ、現在の主流となっています。 ドライエッチングでは、ウエハーへのダメージを少なくするために主に 低温プラズマ が使用されます。 |alg| tbl| qdn| itg| ffo| npc| buv| ryw| lyn| yyj| gfp| edz| aet| dkc| uqy| lqe| err| jlz| otz| aqn| ema| cjy| dbw| jlc| gva| zoc| kxk| xhr| pus| zou| gqk| taa| yte| rgj| igu| imn| qxh| bai| yfb| oxo| dzn| zea| pou| hzs| daf| pcu| vmo| kmx| gma| tjk|