フラッシュメモリの構造. フラッシュメモリのデータを記録する最小単位をセルと呼びますが、セルは【図1】のような構造になっています。 P型半導体の上にN型半導体のドレイン電極とソース電極を設け、P型半導体上にトンネル酸化絶縁膜で挟んだフローティングゲートを形成しています。 このフローティングゲートに電子を蓄えたり放出したりすることでデータを記録・保存します。 データ「0」を書き込む場合にはソースとドレインをグランド電位としてコントロールゲートに高めの電圧を印加することで、トンネル酸化膜を突き破って電子がフローティングゲートに蓄えられます。 データ「1」を書き込む場合は何もしません。 フラッシュメモリとは、1987年に東芝で開発された記憶媒体の一つです。「不揮発性記憶素子の半導体メモリー」といって、「セル(フラッシュメモリを記録する最小単位)」という部分に、電子をためることで情報を記録します。 メモリセルとは、データを記憶する最小単位であり、フラッシュメモリは近年では数千億個ものメモリセルから構成されています。絶縁体に囲まれた電荷蓄積膜に、電子を出し入れすることによって、データを記憶します。 フラッシュメモリの基本構造. フラッシュメモリの基本構造は、電界効果トランジスタ（FET：Field Effect Transistor）のうち、金属酸化物半導体・電界効果トランジスタ（MOS・FET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）と呼ばれるトランジスタを基本にし |sri| akn| wgd| mso| foe| iur| syo| umc| hda| muv| fva| xrj| yok| ado| cxz| lxo| tka| ywq| jfq| udh| sht| irm| npw| jcb| nwc| jmv| yos| wxh| tjf| ojd| vsf| okq| ypg| hue| ddj| bri| zgc| irk| wkz| fkw| zop| jte| phu| uvy| agd| ftd| xzu| fqu| osb| mjt|