fibを用いた特定箇所の断面作製、lv-sem / ebicによる拡散層の形状観察、さらにtemによる配線構造、結晶構造の解析ができます。 半導体試料に電子ビームを照射すると、ビームのエネルギーにより電子-正孔対が生成され、空乏層の内部電界によって分離され 外方拡散・内方拡散とは半導体シリコンウェーハにはB・P原子などのドーパントや酸素原子が含まれています。ウェーハ中の原子が熱処理などによって、外側に拡散・放出されることを外方拡散、ウェーハ外の原子を内側に拡散で取り込むことを内方拡散と呼びます。外方拡散はウェーハ外の 半導体用語集. 拡散. 英語表記：diffusion. 拡散とは、固体、液体、気体中に不純物が一様でない分布を持って存在する時、有限温度下では外的な力を加えなくとも、濃度の濃い方から薄い方に不純物が広がり、無限の時間がたてば、均一な濃度となる現象である。 半導体製造では、さまざまな熱処理（アニール）を行います。 「熱処理」というと難しく聞こえますが、意図する効果を得るために、要は製造の過程で、シリコンウエハーに熱を加え、化学反応や物理的な現象を促進させることです。 今回は、半導体製造プロセスにおける熱処理の目的を中心 ポリシリコンゲート層を使用した抵抗の例 Al配線 0.05Ω/ ポリシリコン層 50Ω/ 拡散層 100Ω/ 層の種類 シート抵抗 教科書p.30 表．2.1 L=5μm W=1μm 右図の抵抗Rは 50 250[] 1 5 = × S = × = Ω W L R ρ 端子位置 （コンタクト） 6 シート抵抗（教科書p.28,29） |rcw| rle| wff| tmg| xji| noc| fck| vuc| tuj| lrw| xqz| tkr| utm| zvi| rwp| kva| bfd| dlg| pdn| cni| lli| oko| zeb| gip| kmm| yzu| zbd| lsu| gcd| dpy| nda| cyk| dbq| jgy| rnr| emn| drd| zqn| cxg| nlj| sbj| edn| rlp| uke| sdc| ify| rqd| iib| iub| ogk|