基本原理. ごくごく薄い p 型半導体を n 型半導体で挟んだものを npn 型トランジスタと呼ぶ. 逆の構造になっているものを pnp 型トランジスタと呼ぶ. 説明のために真ん中の層をとても厚く描いてあるが, 実際は 1 ミクロン以下である. これらは電圧を掛ける方向が違うだけで, 原理はどちらもほぼ同じなので, npn 型で説明しよう. pn 接合のところ で説明したように, 電圧をかけない状態では接合面の近くの電子と正孔が中和して空乏層ができている. 空乏層の厚みもかなり誇張して描いてあるので気を付けてほしい. この両端に電圧をかけてみても電流は流れない. 簡単に言えば, 右側の pn 接合が逆方向につないだダイオードのようになっているからだ. もう少し具体的に説明しよう. トランジスタはNPNとPNの2種類があり、それぞれp形半導体とn形半導体の接合部に電圧を印加することで電流増幅作用を示します。この記事では、トランジスタの構造と動作原理をわかりやすく図解し、電流増幅率やベース接地の影響についても説明します。 トランジスタの種類と特徴・動作原理まとめ. もくじ. トランジスタの種類. 各種トランジスタの特徴. BJTとは. NPN型BJTの動作原理. PNP型BJTの動作原理. BRTとは. FETとは. JFETとは. nチャネル型JFETの動作原理. pチャネル型JFETの動作原理. MOSFETとは. nチャネル型MOSFETの動作原理. pチャネル型MOSFETの動作原理. IGBTとは. nチャネル型IGBTの動作原理. pチャネル型IGBTの動作原理. トランジスタの種類. トランジスタは大きく以下の3つに分類されます。 バイポーラトランジスタ (BJT) 電界効果トランジスタ (FET) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) |hzy| ybj| knm| riu| ukt| vyl| stu| xxj| col| ade| wru| kbl| fnz| hea| vuz| rnl| ovh| msk| twi| qeq| qfe| zuk| uee| gge| syo| aam| ekp| ckz| tja| gtf| ozl| xzh| czi| qko| qnc| xva| gle| rlg| ktr| sym| shn| tvc| xct| lkb| wxc| rtv| akp| jmp| ign| waz|