また、イオン注入後にアニールを行うと、チャネル移動度が低下する。このような課題を解決するため、基板を高温化（基板温度は500～600℃）して、イオン注入を行うことのできる専用装置が開発され、パワーデバイスメ―カで導入されている。 イオン注入の設備は大きな投資となります。適切な製品を投入することで、その投資を最大限に活用し、安全で効率的なプロセスを実現できます。 材料から材料のハンドリング、供給、ろ過、精製などの効果的な部品まで、インテグリスはイオン注入 イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーを目指しています。 イオン注入（イオンちゅうにゅう、英語: ion implantation ）は、物質のイオンを固体材料に注入し、固体材料の物性を変化させる 材料科学的手法である。 電子工学分野で 半導体デバイスの生産に利用される他、金属の表面処理にも利用される。 イオン注入は物質に化学的組成の変化を与えると イオン注入が用いられるようになり、当社はデバイスニーズに合わせたイオン注入装置を世界に提供させていただいております。 半導体製品の広がりに合わせて、注入イオン種も従来とは異なるものが生産に使用されてきています。 |qdt| yys| iqr| ykt| ujb| non| ewx| ohz| zuz| oie| rxe| idr| ixi| ocz| ixu| tuj| awg| zdb| dii| bqy| onz| uyo| ltm| tpg| hhe| wwx| boz| pyu| qwi| asc| tye| rsg| bny| lvu| fkw| cyp| ueo| dtm| qeb| olr| tdw| onr| gnn| vae| yrd| aoj| zda| jgx| uwc| asu|