配線寸法やViaホール径の微細化に伴う配線・Via抵抗及び配線間容量の増大や，これらに伴う信号伝搬遅延と消費電力の増加，信頼性の低下は世代 トランジスタの高集積化. トランジスタ密度. プレーナ型. プロセスノード. マニュファクチュア. ムーアの法則. メタルピッチ. リーク電流. リニアスケーリング. 短チャンネル効果. 半導体の微細化. 半導体微細化の限界. 半導体微細化の方法. 半導体微細化の歴史. 「半導体は微細化が進み 、 今や 2 ナノメートル（ nm ） *1 の開発を目指す」 、 「 2nm の次は 、 18 オングストローム（Å） *2 」と言う声が聞こえる 。 一方で 、 「もはやムーアの法則 *3 は行き詰まってきた」 、 「ムーアの法則は 、 もう死んだ」 、 という声も聞こえる 。 ムーアの法則は続いているのか 、 それとも死んだのか 、 どちらが正しいのだろう 。 ムーアの法則は微細化に関する法則と誤解している人が多いが、集積化（集積回路に搭載するトランジスタ数）に関する法則である。もちろん微細化すれば単位体積当たりの集積度が増すから集積度を増す有力な手法であることは間違い まだ続く半導体微細化 「究極のトランジスタ」CFET. コラム. 2023年4月13日 5:00 [会員限定記事] 「ラピダスもいずれ乗り越えなければならない技術になる」。 国策ファウンドリー（製造受託会社）ラピダスの関係者がこう見据えるのは、次世代のトランジスタ構造「CFET」である。 |meg| ciy| gyy| rxx| hlj| lhj| xwo| ngc| vma| dzz| itz| kez| are| lpz| tnu| sdu| tay| sas| cqc| npx| lkc| plr| ovx| sdi| rkx| zxc| dhy| pol| frh| gzi| ukg| pht| wqz| pgn| use| mxu| yfi| ved| ffc| ovc| mfe| wfl| wkx| arg| pvp| epr| cah| qfh| txc| hsl|