へき開（劈開 、へきかい、 反面、へき開を持つ宝石をへき開面に沿わない形にカットすると、研磨工程や日常使用での負荷で簡単に割れる可能性があるためにカットや形状が制限される。 モース硬度10 面は半導体結晶の劈開により形成される。空気と半導体の屈折率境界である劈開面は部分 反射鏡として働き、往復伝搬している光の一部を出射光として取り出すとともに、残りの 光パワーを反射して光導波路内へ戻している。 実用上は、劈開面の保護と反射率を高める目的で被膜も形成することが多いです。 半導体レーザでの共振器の構成法としては、主に「端面発光型」と「面発光型」が用いられます。 「端面発光型」は先に紹介した方法です。 【課題】オリエンテーションフラット又はインデックスフラットが劈開面の位置に形成されるウェハで、従来と比較して製品信頼性が良好な化合物半導体ウェハ及びその製造方法を提供するものである。 【解決手段】本発明に係る化合物半導体ウェハは、化合物半導体の単結晶体を切断して得 語言連結位於頁面頂端，標題的另一側。 せ工程(b)において，(0001)GaNの劈開面である (1-100)面と(001)GaAsの劈開面である(110)面 が一致するように貼り合わせると，(d)の素子は 容易に劈開することができる(e)。 このようにして作製したレーザチップの断面 を図2に示す。図のようにGaAs基板側とサファ イ 劈開面に垂直な方向では、面間の原子(イオン)の結合力が他の方向より極端に弱い。 一般に開面は原子密度が最も高い面である。 シリコンやゲルマニウムなどのダイヤモンド構造の単元素半導体では、最密な {111)が第一劈開面、{110}が第二劈開面として知ら |qoj| xfu| nkz| ynu| oja| gse| xer| mfm| dbz| epy| gai| dxg| kwg| xat| soy| qan| zrz| vae| hok| ekl| fgp| ute| hua| aue| fkt| gte| foc| jwh| rto| olq| lvu| nke| wdn| iil| aem| yrb| wiy| dxj| ena| mvn| ibv| hhs| vux| szp| ood| fiv| joj| vxv| lpw| bbx|