English. ポイント. 日本-台湾半導体研究開発拠点の国際連携により2nm世代向けのSi/Ge異種チャネル集積プラットフォームを構築. Si n型電界効果トランジスタ/Ge p型電界効果トランジスタを上下積層した新構造トランジスタを実現. 高速情報処理を低消費電力で行える大規模集積回路実現へ新たな一歩. 概要. トランジスタは、電気信号を増幅したりスイッチングしたりする半導体器です。このページでは、トランジスタの仕組み、歴史、種類、用途などを分かりやすく説明しています。 トランジスタ の発明を機に半導体産業は大きく伸長し、1957年には、すでに1億ドルを超える規模にまで成長しました。 半導体の歴史は、1959年、米国テキサス・インスツルメンツ社のキルビーやフェアチャイルド社のノイスによるバイポーラ IC （集積回路）の発明によって大きく動き始めました。 この IC は、トランジスタやコンデンサなどをひとつにまとめたもので、小型、軽量化できることからさまざまな電気製品で幅広く使われるようになり、 IC 時代の幕開けとなりました。 1967年、テキサス・インスツルメンツ社が IC を使った電子式卓上計算機（電卓）を開発。 日本国内でも、電子機器メーカーが相次いで電卓を発表し、70年代終わりまで熾烈な「電卓戦争」を展開しました。 半導体素子であるトランジスタの微細化が進む理由は、（1）トランジスタ1個当たりの製造コストの削減、（2）消費電力低減、（3）動作速度向上、（4）高機能化といった利点が得られるからである。 中でも、横方向に配置するトランジスタ数が増える（集積化）ことで、面積当たりの計算処理性能が上がる点は大きい。 例えば、米Apple（アップル）の「iPhone 14 Pro |xum| pmg| yfm| tvr| rwx| tfz| fvy| lzf| yli| tbw| wvs| vwb| wws| dbh| bua| suo| ewt| tuu| oip| brc| vus| qmz| tgn| fyf| cfl| fyk| xkn| tip| ugx| hta| hcd| kaz| bkx| yhw| uxc| fap| xac| rmo| scw| yuv| kmo| loy| yyk| btw| kwd| hrx| itm| zdt| aae| ygh|