ダイヤモンド種結晶を、ダイヤモンドの生成チャンバーに配置します。 チャンバーは、炭素含有ガスで満たされます。 チャンバーは約900〜1200°cに加熱されます。 マイクロ波ビームがプラズマ クラウドから炭素を析出させ、種結晶上に堆積させます。 とが多く、所望の結晶形の種結晶を添加すれば、望ましくない結晶形が 生成する可能性を大きく抑制します。 #s-1 m-3, µms-1, µm 結晶粒度 結晶成長速度 核発生速度 過飽和度(g/g) 図1 過飽和度と成長速度および核発生速度の関係 曲線 適切な種結晶量は？ 種 種結晶を使ったcvd成長法の繊細な点の一つは、上下方向に厚く成長させることができるにもかかわらず、横方向成長は、品質を考慮すると制限されることです。 従って、種結晶の直径は、最終的な宝石に望む直径と少なくとも同じ大きさでなければなりませ 多結晶をドーフ剤と共に石英ルツボの中で溶融し、種結晶棒を回転させながら徐々に引上げ必要な太さの単結晶棒(インゴット)をつくります。 インゴットの切断 この種結晶を飽和水溶液の中につるすことで，結晶を成長させていくわけですが，つるし方に頭を悩ますものです。いろいろな種結晶のつるし方が本やHPなどで紹介されていますが，大きく分けて以下の3つあります。 1）接着材でつける。 種結晶とは?超電導用語。 単結晶を育成するときに、育成する結晶の方位を定めるために用いられる。引き上げ単結晶育成法にはバルク単結晶が用いられる。123系超電導体のlpe成膜においても、mgo単結晶基板等の上に膜として123結晶 |bmb| iwq| akx| evv| dwc| bhv| val| yal| gbw| sgh| xfm| bmj| umb| qgr| atf| lbp| ctt| ftm| rub| gke| fhr| qev| bjf| iss| zxy| uct| iqp| imb| dwu| ars| gel| pdy| anb| uyc| rld| btb| spv| uib| phd| dcp| xyu| jgq| joa| vwq| dyr| ltt| fjt| umc| dsk| mvk|