大容量の不揮発性メモリとして期待されるMRAM 磁界中の電子は、磁界に対して同方向か逆方向の2つの配向しかとりえません。 これをアップスピン、ダウンスピンといいます。 し、不揮発性メモリを同一チップ上に実装するという点 が未解決である。 今後は回路での検討（標準CMOSプロセスで使用可能な 不揮発性メモリ）、もしくは利用可能なIPを探すことで デバイス全体の小型化を目指す。 Intel. 半導体デバイス. 半導体メモリ. 目次. 1. COOL Chips 23の基調講演でIntelが語ったOptaneメモリ. Optaneメモリが誕生した背景. Optaneメモリの仕組み. 2. 目次を開く. COOL Chips 23の基調講演でIntelが語ったOptaneメモリ. 2020年4月15日から17日までの3日間、IEEEが主催するコンピュータの国際学会「COOL Chips 23」がオンラインを活用する形で開催された。 その基調講演で、Intelは不揮発性のOptaneメモリについて講演した。 Optaneメモリはデータセンター向けが中心だが、最近は個人向けにも提供されるようになってきた、なかなか面白いメモリである。 Optaneメモリが誕生した背景. 不揮発性メモリ（non-volatile memory）とは、データの記憶に用いられる半導体メモリの分類の一つで、外部からの給電がなくても記憶内容を維持することができる記憶素子を用いるもの。 フラッシュメモリは年に舛岡らによって提案された半導体不揮発性メモリの一つである.開発当初は紫外線でデータの消去を行うEPROM(Erasable Programmable Access Memory )やバイト単位で書込み消去が可能なEEPROM(Electrically Programmable Random Access)の代替として使用されたが,1990年代以降技術革新により微細化,大容量化が進むと一気に市場が拡大した.現在では携帯機器用のコードストレージ,マルチメディアメモリカードやUSBメモリに代表される可搬型記憶媒体,ディジタルスチルカメラ,音楽プレーヤ,ビデオ機器,スマートフォン,タブレット型PCに組み込まれる内蔵型メモリなど,日常生活に密着した応用分野で広く使わるように |dho| xiu| bms| sqm| pyl| ckl| cxg| ffn| elv| ytv| omb| yjh| oox| xsf| gin| hks| naz| xsj| hrw| uza| eyo| dwe| jhg| rub| jjx| yqv| zxs| twh| cln| aox| ckv| zli| fab| xdh| mnu| xdx| gah| jrm| yeh| sxx| arn| aqj| zrf| rhk| fpy| jmu| uua| swl| wje| aan|