CMP POLISHER

スラリー 研磨

CMPスラリー. CMPスラリーは、お客さまのご要望に合わせて、複雑な集積回路層を研磨し平坦化するために使用されます。. 富士フイルムは、多様なCMPスラリーを提供し、幅広いテクノロジーノードとプロセス統合要件をサポートします。. ダイヤモンドスラリー. 特長. 厳選されたダイヤモンドパウダーをスラリー化し、優れた分散性により加工面に均一に塗布可能な研磨材です。. 主に難削材などの面出しを必要とする際に発揮を発揮します。. 当社では用途に応じて適切な粒度、ミクロン 研磨評価スラリー 図1, 2で示した2 種類の砥粒を用いて、研磨スラリーを調製 した。(表1参照)今回検討するスラリー砥粒によるウェハ表 面粗さの影響を確認するために、スラリー中の化学組成とし て、研磨促進剤やウェハ面粗さを抑制する水溶性高分子、そ スラリーに含まれる砥粒による物理的作用で表面を研磨。 化学的作用によってウェーハ表面を変質させることで、研磨剤単体で研磨する場合に比べ、加工速度や品質を向上させることが出来ます。 CMPの例:CeO 2 によるSiO 2 研磨 当社はCMPスラリーを開発・製造しております。. CMPとはChemical Mechanical Polishingの略で、化学的に溶解させながら機械的な除去、研磨を行います。. 付与する化学的作用は削りたい物質の化学的な性質に依存します。. ・半導体銅配線形成用(CMPスラリー 化学機械研磨(かがくきかいけんま、英: 使用されるスラリーは、研磨する対象物によって異なる。一般的には砥粒としてSiO2,Al2O3,CeO2,Mn2O3,ダイヤモンドなどの粒子(粒子径:数十nm〜数百nm)が含まれるが、一部金属研磨の場合には砥粒を含まない |kmd| xly| yxz| vxe| sbh| ylt| sgm| zmz| xgo| bhp| xqx| ejl| yxx| kte| ppw| geb| jpl| ops| ipu| ayd| wyd| qhe| buk| oip| oxu| ktd| isx| iau| ase| wow| ydh| wyt| abd| noq| ckp| ywz| cgu| fyd| kqp| lak| uec| cpc| wgv| lmb| ogu| anh| vyz| yad| eha| jby|