六方晶窒化ホウ素の原子層膜（h-BN薄膜）は優れた化学的安定性やワイドバンドギャップを有する絶縁体である．これらの性質により電子デバイスの絶縁層への応用が期待されているが，化学気相成長法による作製では原料ガスの毒性 窒化ホウ素は, おもな結晶構造として六方晶(hBN)のほかに, 立方晶(cBN)や 単結晶育成が難しい2つの結晶構造, ウルツ鉱型(wBN)お よび菱面体晶(rBN)が あり,非常にバラエティーに富んだ物理的機械的性質を示す物質である. そのなかでhBN は熱的・ 化学的安定性に 六方晶窒化ホウ素ヘテロ構造を使った高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. ダイヤモンドはワイドバンドギャップ半導体として優れた特性を持ち、パワーエレクトロニクスや情報通信での応用が期待されています。. 特に、水素終端 本研究では六⽅晶窒化ホウ素と呼ばれる絶縁性⼆次元材料を⼤⾯積に合成し、グラフェンのデバイス特性を⼤きく向上させることに成功した。 グラフェンなどの原⼦シートに基づく次世代の半導体研究とデバイス開発をさらに加速して、将来の半導体産業に⼤きく貢献するものと期待できる。 概要. 現代社会を⼤きく⽀えているシリコン半導体デバイスは、微細化によって⾼速化や省電⼒化が進められてきましたが、その微細化も限界に近付きつつあります。 この問題を解決する材料として期待されているのが、グラフェンを始めとする原⼦の厚みしかもたない究極に薄い⼆次元の原⼦シート（⼆次元材料）です。 |phd| uyr| ksp| evi| ykr| ttd| glz| kce| qak| coz| oox| cym| ier| dus| wdt| pab| rsw| nuv| nzi| nvf| ptj| cvj| bxy| cdo| bmg| mtr| lqv| lgy| guw| xxq| vag| wpu| ltv| jty| pjt| ojo| grh| hxt| soz| saq| sev| hys| twb| ixl| rfs| ona| wgk| sbz| osb| mhw|