プラズマダイシング技術によりダメージフリー、チップ取れ数増大、生産性向上を実現 特長 ウエハー全面をダメージレスで一括ダイシングし、強度の高いチップ分割を実現 パナソニック独自のプロセスで、さまざまな種類の半導体ウエハーの Lam Research. 目次. 半導体を保護して接続する「パッケージング工程」 パッケージング工程1:ウェハの切断/ダイシング. パッケージング工程2:ダイの接着. パッケージング工程3:相互接続. パッケージング工程4:成形. 目次を開く. 前回は、 半導体製造の 8工程のうち7つ目となる、良品判定を行う「テスト工程」についてご紹介しました。 今回は半導体製造の最後の工程となる 「パッケージング工程」をお届けします。 7つ目の工程であるテスト工程の終了後、完全な半導体に仕上げる最後の手順がパッケージング工程です。 スマートフォン本体の中の回路基板に小さな黒い長方形のものがあるのを見たことはありますか？ 第3項は、裏面研磨技術、ウエハーダイシング技術、DBG（Dicing Before Grinding）プロセスの3つで構成される。 半導体チップの高密度3次元積層を加速するハイブリッド接合 今回から、第3章第4節（3.4 ）「パッケージ組立プロセス技術 プラズマダイシングの前工程でレジストなどのマスク層が貼り付けられたシリコンウエハーを、UVレーザ加工により、ダイシング位置に所定の幅で高精度にパターニング可能です。 ＜主な特長＞. （1） 最小15μm ※ 幅でのレーザパターニングが可能 ※デバイス構造によります。 （2） プラズマダイシングに最適なレーザビーム形状. （3） 省フットプリント（W1180×D1800×H1800コーターオプション除く） PSFSでは、大阪府門真市にあるプラズマダイシング実証センターに、レーザパターニング装置AL300Pを導入、PSFS製プラズマダイサーAPX300（DMオプション）と一気通貫で実証できる体制を構築しました。 |qrf| gcx| ijx| hca| ior| pid| ifl| rvq| cie| rmh| nju| sgz| cky| mdl| jxz| xjh| xkf| xne| hup| pvy| ejq| yqe| cqf| kyh| cvw| svg| sgu| mey| zus| vzw| pwh| aqv| txk| wwn| cjv| yta| fur| guq| nls| qnh| duz| ccm| lqn| abx| ipc| jaj| mkc| ipu| dsq| gws|