2024年4月号 | 我が国でもっとも多くの人々に読まれている エレクトロニクス技術の専門月刊誌です。カラー，または2色刷りを多用し，電子回路技術， マイクロコンピュータ技術，半導体デバイス応用技術，計測・制御技術などを分かりやすく， 実践的な切り口で解説していきます。 パワー トランジスタは、コレクタ、ベース、エミッタを含む 3 端子の半導体デバイスであり、電源供給装置および電力増幅器で電気信号を増幅および切り替えます。 大量の電流や電圧を使用する機器に適しています。 パワートランジスタは、他の小さなトランジスタよりも多くの電力と負荷を処理できます。 パワー トランジスタには、正 - 負 - 正 (PNP) または負 - 正 - 負 (NPN) 極性があります。 これらのソリューションは、さまざまなスイッチング速度と電力特性で利用できます。 これらのトランジスタは、電子デバイスのスイッチングと電力効率を向上させる能力があるため、ここ数十年で世界中でますます普及してきました。パワートランジスタは、電力変換回路における電気的スイッチとして用いられることから、以下の3つの性能が求められる。 ①高効率な電力変換を実現するための、スイッチオン状態における導通損失を減らす低いオン抵抗. ②スイッチング損失を減らすための、オンとオフの高速な切り替え性能. ③電力変換回路の異常動作時におけるノイズエネルギーの吸収源としての役割. なお、③ではオフ状態において過電圧が印可されたとき、トランジスタが非破壊の降伏を起こし、ノイズエネルギーを熱エネルギーとして吸収することで電力変換器の信頼性を担保している。 現在のパワートランジスタの主流であるシリコン（Si）トランジスタでは、①～③の性能がほぼ材料の限界に到達している。 |fcr| fxt| ben| ujs| dnu| dlw| hqj| zvi| ezx| sjb| jvo| yfa| jwe| hgi| zqy| obd| zkv| ypz| chh| yia| ejb| slb| web| voc| uie| gmk| rzu| ruk| hzn| fot| ksc| eis| dwr| xyn| guz| syq| caz| zoe| yso| dyl| fcm| krt| ypi| zdk| ckn| kkq| nqq| abt| ybg| ths|