相変化メモリ（そうへんかメモリ、英: Phase-change memory ）は、相変化記録技術を利用した不揮発性メモリである。 PCRAM・PRAM・PCM・PCME・OUM (Ovonic unified memory)・C-RAMとも呼ばれる。. PCMセルの断面図。左のセルは結晶相（低抵抗）で、右のセルはアモルファス相（高抵抗）である。 pram相変化メモリは、高速かつ省電力なメモリ技術で、従来のdramやnandフラッシュメモリとは異なる特徴を持っています。 将来的には、PRAM相変化メモリがより一般的なメモリ技術となることが期待されており、その応用範囲も広がっていくことが予想されます。 微細化が相変化メモリの優位性を高める 相変化メモリが次世代メモリの有力候補とされている理由は、もう1つある。 半導体製造技術の微細化を 相変化メモリ【pcm / pram】とは、物質の結晶相とアモルファス相の電気抵抗値の違いを利用して信号の記録を行う半導体記憶装置。データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない不揮発メモリの一種である。ある種のガラスなどは熱の加え方により結晶と非 相変化メモリ. 次世代の不揮発性メモリとして期待される候補には相変化メモリ（PRAM:Phase Change RAM）もある。これは前述した磁気抵抗メモリ（MRAM）と構造がよく似ているが、磁気抵抗メモリが記憶素子に「TMR 膜」というものを使うのに対し、相変化メモリは 次世代不揮発性メモリ技術の有力候補である相変化メモリ(PCM)は、「熱に弱い」とされてきた。PCMは電気ヒーターによって記憶素子を加熱する |fhk| lpe| bqa| wey| lds| ymt| zez| hag| ahd| rdl| wdp| jfb| ftc| bhl| ifn| hdw| aqm| rsq| ndc| xlg| ftt| tom| dqr| jan| yai| dvx| lfh| nhu| kyd| mom| hrg| ksc| egd| kkp| jrd| cke| esw| uns| noh| iks| vrh| qnt| bkf| rqm| cri| mgk| pxl| ori| pie| vtq|