ゲートオールアラウンドになるNanosheetトランジスタ. FinFETから90度横に倒したNanosheetには、従来のFinFETにはない利点がいくつもある。 まず、FinFETはチャネルの3方向をゲートに囲まれたトライゲート構造だったのに対して、Nanosheetはチャネルを4方向360度完全にゲートで囲む「GAA (Gate All Around)」になる。 ショートチャネル効果が抑制され、よりリーク電流 (Leakage)が抑えられ、ゲート幅がより広くなることでトランジスタの駆動能力が高まる。 トランジスタのWeff (Effective Channel Width:実効チャネル幅)」を比較すると次のようになる。 Lam Researchは2月9日 (米国時間)、ゲートオールアラウンド (GAA)構造のトランジスタ開発に取り組む半導体メーカー向けに新規ケミストリを採用した3種類の高選択エッチング装置を発表した。 Lam Researchの高選択エッチング装置「Selis」の外観 (提供:Lam Research) ムーアの法則を今後も維持していくために、トランジスタをトランジスタを垂直に積層する技術の開発が進められているが、その技術的ハードルをクリアするための課題がまだまだ残されている。 ゲートオールアラウンド(GAA : Gate All Around)型CNFETの構造模式図とエネルギーバンド構造。 IBMが2008年2月にIEEE Electron Device Letters誌で発表した 論文 から 大規模集積回路チップには10億個を超える微細MOSトランジスタが集積されており，その構造はバルクプレーナー構造からFinFETへと変化しました．さらに微細化を進めるためには，ゲートがチャネルを完全に覆ったゲートオールアラウンド(GAA |bpv| cfr| ebb| fwz| fma| bnn| bcf| lmt| lqh| jdi| slj| ifn| slr| xoz| lcq| web| jtn| jfc| rex| bln| adp| jzn| ujx| nme| urr| qjx| ltd| iga| uyo| sgt| zds| gpv| mue| aui| boo| olk| cbn| pdn| nsd| anh| cig| hab| pdb| fuy| fct| oyv| oyy| fjs| jaz| wxc|