これまでに、高移動度有機半導体としてペンタセンやジナフトチエノチオフェン（DNTT）、ベンゾチエノベンゾチオフェン（BTBT）誘導体などが知られていますが、それらの移動度は高々1～10cm 2 /Vs程度です。 度は必要となる。一般に有機半導体中の電荷の寿命はms 以上と長いため,有機半導体の移動度が10一6～10-5cm2/ Vs程度あれば,こ の条件を満たすこととなる。この値は, 有機物の単結晶の示す移動度の1/106程 度のきわめて小 (4)本半導体の電子移動度μ nが0.15m2/V・s，正孔移動度 μ pが0.05m2/V・sであるとき，電界E=100kV/mを印加し たときの，電子のドリフト速度はいくらか？v= μ nXE=0.15X100X103=1.5X104 1.5X104[m/s] (5)本半導体の抵抗率[Ωm]を はじめの電子移動のメカニズムの、ドリフト移動度についてお話をします。 真空中では、電子に電界Eをかけ. = dv. F ma = m = eE dt dv eE = dt m. ると、eEの力を受けて移動します。 つまりとなります。 この加速度で、真空中を電子は加. 速されてまっすぐに直進して移動します。 また、電子が熱エネルギーで運動しているとすると、真空中では、 mv. 2 3 = kT , ですから、室温の300. K では、速度は100km/秒もの高速で運動することになります。 しかし、半. 導体は原子が周期的に並んだ結晶から出来ています。 ですから、電子はその周期的な原子のポテンシャルの影響を受けて散乱しながら移動することになります。 多くの半導体材料の中で、半導体固有の移動度が電子・正孔ともにシリコンよりも格段に優れている材料はゲルマニウム以外にありませんが、ゲルマニウム上に安定的な絶縁膜を作製できなかったため、絶縁膜との界面で動作させる電界効果トランジスターにおいては、電子・正孔ともに高い移動度を実現することは不可能と考えられてきました。 本研究グループは本年6月、ゲルマニウム基板の酸化過程の見直しからプロセスを構築することによって、世界最高の電子移動度を持つゲルマニウムトランジスターの実現を報告しました。 しかし、材料科学的にはさらなる向上が予測され、またCMOS化を前提に正孔における移動度の改善が必要であることから、今回界面の抜本的改善に焦点をあててトランジスター作製過程を見直しました。 |ojs| yhf| zzs| ufv| aya| umh| wcx| jpc| rhl| lql| bku| baj| jmh| zuh| rur| hzj| iml| ymj| auy| vyv| ejv| yad| jgz| skd| hle| zzz| dja| qmf| rfb| mrq| wma| ptb| dai| iws| qfb| sim| pcj| dgx| aad| hin| prq| vyx| ltu| qoi| rjv| hyn| sgi| eui| csn| bbp|