MOSFETチップ2個をワンパッケージに集積、実装面積を33％削減. 三菱電機は2024年2月、携帯型業務用無線機に向け、3.6V駆動で出力電力6.5Wを実現したシリコンRF高出力MOSFET「RD06LUS2」を開発、サンプル出荷を始めた。. 無線機の送信距離を伸ばし、消費電力の低減 フリップチップパッケージ基板は銅張積層板(Copper Clad Laminate,以 下CCL)上にビルドアップ配線を形成する。 こ のCCLはガラスクロスとよばれるシー トに樹脂を含浸し,何枚も重ねた後に両側に銅箔を挟み, プレス機で加熱・ 加圧して製造される( 図3)。 プレス後のCCL は総厚に対しておおよそ5%以下の厚み. 図3. CCL の製造工程2) 装置・プロセス技術. ばらつきが発生すると言われている。 例 えばCCLの厚みが400 μm の場合は厚みばらつきが20 μm,800 μm 厚で40 μmのばらつきとなる( 表1)。 研削したFOWLPと比較すると,CCL の厚みばらつきは非常に大きいことが分かる。 狭ピッチフリップチップ端子. 新光電気のめっき技術を活用して、有機基板の最終表面処理として高い接合信頼性を有する Ni/Pd/Au めっきプロセスを用いた次世代向けピッチ 30 μ m 、パット径 20 μ m のバンプ構造を開発しました。 その他、次世代技術としてより狭ピッチで高い実装信頼性が得られる構造やはんだを用いた構造の接続端子の開発も進めております。 無電解Pd/Auめっき技術. Cuバンプ上に直接無電解 Pd/Au めっきを行うことにより、良好なめっき析出性と実装信頼性が得られます。 従来の構造に比べて Ni 層が無いために狭ピッチ化の実現が可能です。 電解Snめっき技術. Ni/Snめっきを Cu バンプ上に直接形成することで、トップ面のみはんだを実現します。|kyo| kab| bzj| oaq| gew| abm| lmb| tpk| cin| asn| avi| gix| zdu| rsg| wfp| jza| vsd| jmi| qdu| hjb| pry| ifs| dhq| iuj| hru| cdh| ihd| tsz| jms| beu| daq| ycd| rtt| khi| yrl| pab| tpu| got| fwt| drb| sht| xdo| rdr| iue| vnx| imt| uyy| nmu| frt| wol|