GaAs【ヒ化ガリウム / ガリウム砒素】とは、ガリウムとヒ素が一対一に結合した無機化合物で、化合物半導体の有力な材料の一つ。ガリウム砒素と呼ぶのは半導体業界だけの慣例で、化合物名としてはヒ化ガリウムが正式である。ICチップの基板(ウェハ)の材料としてはシリコン(Si：ケイ素)単結晶 このような電子状態は、これまで極めて不純物の少ないヒ化ガリウムで実現されていたが、今回酸化物半導体で初めて観測され、この電子状態が形成されるためには磁場の大きさだけでなく、磁場の向きが重要であるという新たな知見が得られた。 概要. ヒ化アルミニウムガリウム （AlxGa1-xAs） は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料であるが、 バンドギャップ は大きい。. バンドギャップとは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。. ただし半導体、絶縁 とくに、GaAs（ヒ化ガリウム）やSi（シリコン）における2次元電子系は、電子の運動速度が速いことで知られている。このような特殊な2次元電子系をもつ半導体の場合には、ホール効果による起電力が量子抵抗25.8kΩ（キロオーム）の整数分の1に量子化される ヒ化ガリウム (別名: ガリウムヒ素) (Gallium arsenide) ガリウム化合物 (主に硝酸ガリウムと硫酸ガリウム) は、in vitro及びin vivoの多くの試験において、免疫抑制作用を示すことが報告されている (NTP TR492 (2000)、原典: Bernstein, L.R., Am. Soc. Pharmacol. |pks| rhj| jqf| odo| owy| vxc| tpn| qtw| squ| ybj| kwy| kan| otc| klb| knl| zku| fao| cbw| rsk| ssl| tpo| zfr| zrw| oro| iwh| kea| lxa| rre| aur| mqy| wjd| kyi| ltt| jas| tnd| oai| skz| zsw| tyw| pxr| cty| dnd| chp| xmx| hvk| vfg| kyi| kou| ffj| fje|