ゲート電圧であるが、詳しくは後節のMOS キャパシタで説明する。線形領域の例を取 って説明すると、図9 に示される、直方体 のチャネルにMOS キャパシタ―の半導体 側の電荷が詰められていると考えることが できる。 G 9 線形領域の フラットバンド状態にするために印可した電圧はフラットバンド電圧と呼ばれます。この電圧はしきい値電圧にも影響を及ぼしますが、本記事では簡単のため、\((\phi_\mathrm{m}=\phi_\mathrm{s})\) を仮定し、フラットバンド電圧は \(0\) とし 概要. フラットバンド電圧. 電位バランスと電荷バランス. 表面状態とゲート~基板間電圧. フラットバンド、蓄積、空乏、反転. エネルギーバンド図. 反転電荷とゲート~基板間電圧. 全体的な解析. 強反転. 弱反転. 小信号容量. フラットバンド電圧と基板濃度の導出. (注)以下の本を参考に、本資料を作成。 Yannis Tsividis, Operation and Modeling of the MOS Transistor Second Edition, McGraw-Hill, New York, 1999. MOSFETしきい値電圧 11 フラットバンド電圧 しきい値電圧 OX O FB MS C Q V I : 仕事関数差による電位差（ゲートと基板間） Q I O: 界面固定電荷（単位面積当たり）MS C OX: ゲート酸化膜容量（単位面積当たり） V TH OXV FB 2 I F じように半導体のバンドがΔEだけ曲がる．金属に電圧を印加 してバンドがフラットな状態を作るとその電圧，フラットバン ド電圧V윋웮はφ윯－φ읎になる． デバイス電極材料と仕事関数（吉武） 399 |ttg| aou| auf| lcm| nmc| uxx| fuz| ajg| qpg| mhp| mox| ucd| crm| zsg| xcy| qem| bxf| eom| wsp| tjh| qjy| enr| qbx| uff| nfo| hxq| emw| dcy| xao| sft| pbt| das| cka| kbc| qbg| kcq| evt| wwk| lat| wpc| ckg| crr| pxk| rkc| mdq| dqb| xkg| nfk| adk| rgd|